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2SK3018
1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
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- 描述
- 特性：VDS = 30V。 ID = 0.1A。 RDS(ON) < 8Ω (VGS = 4V)。 RDS(ON) < 13Ω (VGS = 2.5V)
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- 2SK3018
- 商品编号
- C6165148
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032183克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、无引脚的超小型DFN1006B - 3（SOT883B）表面贴装器件（SMD）塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
~~- 快速开关-沟槽MOSFET技术-逻辑电平兼容-超薄封装,高度仅0.37 mm
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路