温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPD2EUSB30DRTR-N
单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：56 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±25kV，接触放电 ±20kV。应用：数字电视。 机顶盒和数字电视
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- TPD2EUSB30DRTR-N
- 商品编号
- C6165119
- 商品封装
- SOT-9X3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.006133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 14V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 56W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 6V | |
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.6pF |
商品特性
- 56瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）
- 单向配置
- 固态硅雪崩技术
- 低钳位电压
- 低漏电流
- 符合以下标准：
- IEC 61000 - 4 - 2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±25千伏 接触放电：±20千伏
- IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40安（5/50纳秒）
- IEC 61000 - 4 - 5（雷击）4安（8/20微秒）
应用领域
- 数字电视机顶盒和数字电视
- 移动电话及配件
- 蜂窝手机及配件
优惠活动
购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个10000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交11单