QTT1213ST1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 可控硅输出光耦 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品特性
- 输入和输出之间具有高隔离电压(Viso = 5000 Vrms),峰值击穿电压为600V
- 峰值电流负载为0.3A、0.6A、0.9A和1.2A
- 外部爬电距离 ≥ 7.0mm
- 隔离贯穿距离 ≥ 0.4mm
- 外部爬电距离 ≥ 8mm
- 无铅且符合RoHS标准
- 通过UL认证(文件编号E338132)和VDE认证(文件编号40049050)
- CRCW12063K90FKEAHP
- QTT161-25.000MBN-T
- CS33-1MF1MF
- CRCW12065K62FKEC
- QTE-040-04-L-D-LC-TR
- CS33-1MF500KD
- QTE-040-07-H-D-A
- QTT161-38.400MBS-T
- QTE-040-09-F-D-K
- CS33-30KF
- QTE-042-03-L-D-DP
- QTT216-16.369MDG-T
- CRCW1210100KJNEAHP
- QTT216-19.200MBG-T
- CRCW121027R4FKTA
- QTE-042-04-L-D-DP-A-K-TR
- QTT216-25.000MBG-T
- CS33B0984
- QTE-042-04-L-D-DP-A-TR
- CS42EG2C
- CRCW12104R99FNTA

