温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 高击穿电压:250V
- 导通电阻:25°C时最大2.5Ω
- 低栅源截止电压(VGS(off)):-1.4至 - 3.1V
- 高输入阻抗
- 小封装尺寸:SOT - 223
应用领域
- 电流调节器
- 常开开关
- 固态继电器
- 转换器
- 电信
- 电源
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