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LTC1982ES6#TRPBF

采用 SOT-23 封装的单通道和双通道微功率高端开关控制器

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描述: 是低功率、独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器允许在不使用任何外部组件的情况下驱动栅极。内部调节电路使栅极充电后每个驱动器的静态电流降至10μA（LTC1981为20μA）。低静态电流和低关断电流（低于1μA）使这些部件非常适合电池和其他功率受限的系统。宽输入电压范围可适应各种电池/输入配置。栅极驱动内部钳位至7.5V，为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可以在高端或低端模式下驱动。单驱动器版本LTC1981还包括一个栅极驱动就绪引脚，驱动电流容量是双驱动器LTC1982的两倍。LTC1981采用5引脚SOT-23封装。LTC1982采用6引脚SOT-23封装。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: LTC1982ES6#TRPBF
商品编号: C679081
商品封装: TSOT-23-6L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.047606克(g)

商品参数

商品概述

LTC1981/LTC1982是低功耗、独立式N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器可在不使用任何外部元件的情况下驱动栅极。一旦栅极充电完成，内部调节电路可使每个驱动器的静态电流降至10µA（LTC1981为20µA）。低静态电流和低关断电流（低于1µA）使这些器件非常适合电池供电和其他功率受限的系统。较宽的输入电压范围可适应各种电池/输入配置。栅极驱动内部钳位至7.5V，为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可在高端或低端模式下驱动。单驱动器版本的LTC1981还设有一个栅极驱动就绪引脚，其驱动电流容量是双驱动器LTC1982的两倍。 LTC1981采用5引脚SOT - 23封装，LTC1982采用6引脚SOT - 23封装。

商品特性

无需外部元件
内部电压三倍器为逻辑电平FET提供高端栅极驱动
超低功耗：每个驱动器导通电流为10μA（LTC1982），导通电流为2μA（LTC1981），关断电流<1μA
VCC范围：1.8至5V
关断期间栅极驱动输出接地
栅极驱动输出内部钳位至最大7.5V
“栅极驱动就绪”输出（LTC1981）
超小型应用电路
5引脚SOT - 23封装（LTC1981）
6引脚SOT - 23封装（LTC1982）

应用领域

蜂窝电话
便携式销售点终端
手持式电池供电设备

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	高边；低边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	-
	工作电压	1.8V~5.5V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	110us
	下降时间(tf)	12us
	工作温度	-40℃~+85℃
	输入高电平(VIH)	1.6V
	输入低电平(VIL)	400mV
	静态电流(Iq)	20uA