CMUDM7005 TR PBFREE
1个N沟道 耐压:20V 电流:650mA
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- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- CMUDM7005 TR PBFREE
- 商品编号
- C6153738
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 650mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.58nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
一款采用N沟道DMOS工艺制造的增强型N沟道MOSFET，专为高速脉冲放大器和驱动应用而设计。该MOSFET具有低漏源导通电阻（rDS(ON)）和低阈值电压的特点。
商品特性
- 高达 2 kV 的静电放电(ESD)保护
- 300mW的功耗
- 极低的RDS(ON)
- 低阈值电压
- 逻辑电平兼容
- 小型SOT - 523表面贴装封装
应用领域
-负载/电源开关-电源转换电路-电池供电的便携式设备
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