商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 贴片电容(MLCC) | |
| 容值 | 22pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 精度 | ±5% | |
| 额定电压 | 50V |
商品概述
KEMET的HiQ CBR汽车射频电容器系列采用铜电极BME(贱金属电极)系统,在甚高频、超高频和微波频段提供超低ESR和高Q值。低ESR允许更高的射频电流,非常适合V2X、安全系统、动力总成和汽车通信系统等应用。CBR系列电容器的电容随时间和电压无变化,且相对于环境温度的电容变化可忽略不计。KEMET的HiQ CBR射频电容器采用Modelithics衬底可扩展模型进行特性表征,并且可在大多数EDA软件中使用。如需访问模型的详细信息,请联系KEMET销售部门。
商品特性
- AEC - Q200认证
- 超低ESR和高Q值
- 高自谐振频率(SRF)
- 高热稳定性
- 1 MHz ~ 50 GHz频率范围
- 工作温度范围为 -55°C ~ +125°C
- 贱金属电极(BME)介电系统
- 无铅且符合RoHS标准
- 0402和0603封装尺寸(英寸)
- 直流电压额定值为50V
- 电容值范围从0.1 pF到100 pF
- 可用电容公差为±0.05 pF、±0.1 pF、±0.25 pF、±0.5 pF、±1%、±2%和±5%
- 电容随温度变化可忽略不计
- 100%纯哑光镀锡终端,具有出色的可焊性
应用领域
- V2X
- 安全系统
- 动力总成
- 汽车通信系统
- 旁路、耦合、滤波、阻抗匹配、隔直
- CBR06C279BAGAC
- CBR06C289B5GACAUTO
- CBR06C308B5GACAUTO
- CBR06C569C5GACAUTO
- CD30FD133FO3F
- CLT-118-02-L-D-A-P-TR
- CML0805X7R393KT50V
- CD30FD153GO3F
- CLT-118-02-L-D-BE
- CML0805X7R681KT50V
- CML100J100
- CLT-118-02-LM-D-BE-A-P
- CD30FD163GO3
- CML1206X7R561KT50V
- CLT-118-02-S-D-BE-A-K
- CD30FD272JO3
- CLT-119-02-L-D-K
- CML1206X7R562KT50V
- CLT-120-02-G-D-A-TR
- CML220J100
- CD30FD302FO3
