CD4104V

这些是1N4099至1N4135的齐纳二极管芯片。所有结都采用二氧化硅完全保护，在适当散热的情况下具备0.5瓦的功率能力，电气性能与1N4099至1N4135等效，除回流焊外，与所有引线键合和芯片粘贴技术兼容。工作温度范围为 -65°C至 +175°C，存储温度范围同样为 -65°C至 +175°C，在200 mA电流下正向电压最大为1.5伏。齐纳电压范围对于无后缀类型等于标称齐纳电压 ±5%，使用脉冲测量读取，最长10毫秒。后缀“C”表示 ±2%，后缀“D”表示 ±1%。齐纳阻抗是通过在60Hz均方根交流电流下叠加在IZT上得出。芯片正面（阳极）、背面（阴极）采用金金属化，铝厚度最小25,000 Å，金厚度最小4,000 Å，芯片厚度10密耳。对于齐纳操作，阴极相对于阳极必须为正，所有尺寸公差为 ±2密耳。

• 所有结采用二氧化硅完全保护
• 在适当散热下具备0.5瓦功率能力
• 电气性能与1N4099至1N4135等效
• 除回流焊外，与所有引线键合和芯片粘贴技术兼容