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NSS1C201MZ4T1G实物图
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NSS1C201MZ4T1G

环保标识
  • NPN 电流:2A 耐压:100V

  • SMT扩展库
  • 描述

    安森美半导体的低饱和压晶体管系列是具有超低饱和电压饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。典型应用有便携式和电池供电产品(例如蜂窝电话和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和 MP3 播放器)中的 DC-DC 转换器和电源管理。其它应用有大容量存储产品(例如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制。在汽车行业中,它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许这些双极晶体管器件直接从 PMU 的控制输出驱动,而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。

  • 品牌名称onsemi(安森美)
  • 商品型号

    NSS1C201MZ4T1G
  • 商品编号

    C69714
  • 商品封装

    SOT-223
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.202克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)2A
集射极击穿电压(Vceo)100V
功率(Pd)2W
属性参数值
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)150@10mA,2.0V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)30mV@0.1A,0.010A
工作温度-55℃~+150℃

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