BR25S256FJ-WE2
BR25S256FJ-WE2
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BR25S256FJ-WE2
- 商品编号
- C6135280
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 20MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 40年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 | |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；页写保护功能；硬件写保护功能；软件写保护功能 | |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
BR25Sxxx-W系列是采用SPI总线接口方式的串行EEPROM。
商品特性
- 高达20MHz（最大）的高速时钟操作
- 通过HOLDB端子实现等待功能
- 可通过编程将部分或整个存储阵列设置为只读存储区域
- 1.7V至5.5V单电源操作，非常适合电池供电使用
- 页写模式，适用于工厂出厂时写入初始值
- 通过金焊盘和金线实现高度可靠的连接
- 适用于SPI总线接口（CPOL，CPHA）=（0，0），（1，1）
- 数据重写时具有自动擦除和自动结束功能
- 低电流消耗
- 写入操作（5V）：1.5mA（典型值）
- 读取操作（5V）：1.0mA（典型值）
- 待机操作（5V）：0.1μA（典型值）
- 读取操作时具有地址自动递增功能
- 写入错误预防功能
- 上电时禁止写入
- 通过命令代码（WRDI）禁止写入
- 通过WP引脚禁止写入
- 通过状态寄存器（BP1，BP0）设置写入禁止块
- 低电压时的写入错误预防功能
- 数据可保存40年
- 数据可重写达1,000,000次
- 出厂时的数据
- 存储阵列：FFh
- 状态寄存器：WPEN，BP1，BP0：0
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