- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTE179
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 25A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 106W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 65 | |
| 特征频率(fT) | 500kHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20mA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -65℃~+110℃ |
商品概述
NTE179是一款采用TO3封装的PNP型锗晶体管，专为需要低饱和电压、快速开关时间和良好安全工作条件的大电流开关应用而设计。
商品特性
- 低集电极 - 发射极饱和电压：VCE(sat)=0.5V（最大值），IC = 5A