NP33N06YDG-E1-AY
1个N沟道 耐压:60V 电流:33A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP33N06YDG-E1-AY
- 商品编号
- C6134641
- 商品封装
- HSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 97W；1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
BLM7G1822S - 20PB(G) 是一款采用安谱隆（Ampleon）先进的 GEN7 LDMOS 技术的双路、两级功率单片微波集成电路（MMIC）。这款多频段器件非常适合作为 1805 MHz 至 2170 MHz 频率范围内的通用驱动器或小基站末级放大器。提供鸥翼型或直引脚封装。
商品特性
- 最大漏源导通电阻RDS(on) = 14 mΩ(栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 16.5 A)
- 低导通电阻
- 低输入电容Ciss:典型值Ciss = 2600 pF(漏源电压VDS = 25 V,栅源电压VGS = 0 V)
- 逻辑电平驱动类型
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 小型8引脚HSON封装
应用领域
- 用于 1805 MHz 至 2170 MHz 频率范围内的多载波、多标准全球移动通信系统（GSM）、宽带码分多址（W - CDMA）和长期演进（LTE）基站的射频功率 MMIC。
- 双路或单端应用
- 多尔蒂（Doherty）放大器
- 正交合成放大器
- 推挽放大器