NTE858M
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | FET输入运放 | |
| 放大器数 | - | |
| 增益带宽积(GBP) | 4MHz | |
| 输入偏置电流(Ib) | 30pA | |
| 输入失调电压(Vos) | 3mV | |
| 共模抑制比(CMRR) | 100dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 压摆率(SR) | 13V/us | |
| 静态电流(Iq) | 1.4mA | |
| 轨到轨 | - | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 10uV/℃ | |
| 输出电流 | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
NTE858M和NTE858SM是双路、低噪声JFET输入运算放大器，在单个单片集成电路上结合了两种先进的线性技术。每个内部补偿运算放大器都配备了匹配良好的高压JFET输入器件，可实现低输入失调电压。BIFET技术提供了宽带宽和快速压摆率，同时具有低输入偏置电流、输入失调电流和电源电流。此外，这些器件具有低噪声和低谐波失真的特点，非常适合用于高保真音频放大器应用。
商品特性
- 提供两种不同的封装类型：8引脚迷你DIP（NTE858M）、SOIC - 8表面贴装（NTE858SM）
- 低输入噪声电压：典型值为18nV/√Hz
- 低谐波失真：典型值为0.01%
- 低输入偏置电流和失调电流
- 高输入阻抗：典型值为10^12Ω
- 高压摆率：典型值为13V/μs
- 宽增益带宽：典型值为4MHz
- 低电源电流：每个放大器1.4mA
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