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BSS84Q-13-F
1个P沟道 耐压:50V 电流:130mA
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：通用接口开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BSS84Q-13-F
- 商品编号
- C6132598
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0839克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 590pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 24.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 4.7pF |
商品概述
采用先进TrenchMOS技术、塑料封装的中级栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据适用的AEC Q101标准进行设计和鉴定，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 额定温度达175°C，适用于对散热要求较高的环境
- 适用于标准和逻辑电平栅极驱动源
应用领域
- 12 V汽车系统
- 启停微混合动力应用
- 电动和电动液压助力转向系统
- 变速箱控制
- 电机、灯具和电磁阀控制
- 超高性能功率开关