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BSS84Q-13-F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSS84Q-13-F

1个P沟道 耐压:50V 电流:130mA

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描述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于:通用接口开关。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
BSS84Q-13-F
商品编号
C6132598
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0839克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)130mA
导通电阻(RDS(on))3.2Ω@5V
耗散功率(Pd)300mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)590pC@10V
输入电容(Ciss)24.6pF
反向传输电容(Crss)2.8pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)4.7pF

商品概述

采用先进TrenchMOS技术、塑料封装的中级栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品已根据适用的AEC Q101标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 低栅极阈值电压
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 低输入/输出泄漏电流
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件
  • BSS84Q适用于需要特定变更控制的汽车应用;该器件通过了AEC-Q101认证,具备PPAP能力,且在通过IATF 16949认证的工厂生产。

应用领域

-通用接口开关-电源管理功能-模拟开关

数据手册PDF