BLP05H6150XRGY

Power MOS 8TM 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。这款“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过降低反向恢复时间（trr）、实现软恢复以及具备高恢复 dv/dt 能力，可在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中实现高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的 Crss / Ciss 比值，使其具备出色的抗噪能力和低开关损耗。多晶硅栅极结构固有的栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制 di/dt，从而实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。

• 快速开关，低 EMI
• 低 trr，高可靠性
• 超低 Crss，增强抗噪能力
• 低栅极电荷
• 有雪崩能量额定值
• 符合 RoHS 标准

• ZVS 移相及其他全桥电路
• 半桥电路
• 功率因数校正（PFC）及其他升压转换器
• 降压转换器
• 单开关和双开关正激电路
• 反激电路