AM2976JC

Am2976是一款11位双极型动态随机存取存储器（DRAM）驱动器，旨在驱动64K、256K、1M和4M MOS动态随机存取存储器的地址线和控制线的容性输入特性。该器件具有同相驱动器，在功能上与Am2966相似，但包含11个驱动器，以适应更宽的地址路径。每个器件中驱动器数量增加带来的一个显著性能优势是能够将更多信号组合到单个器件上，从而最大限度地减少驱动器（即行地址选通信号RAS和列地址选通信号CAS）之间的偏斜时间。 下部输出驱动器的架构包括一个内部集电极电阻，用于控制从高电平到低电平转换时的下冲（不超过 -0.5V）。这种设计还允许在不减慢输出上升速度的情况下控制输出下降时间。上部输出驱动器的上拉电压最低为2.7V，以与MOS存储器兼容，并且其上升时间设计为与下部输出受控下降时间对称。输出阻抗标称值为25欧姆，在逻辑高电平和低电平状态下相同 — 选择该值是为了匹配印刷电路板走线的固有阻抗。内部电阻的加入消除了对额外外部串联电阻的需求，因此减少了封装数量并节省了电路板面积。

• 内部电阻消除了对外部串联电阻的需求，减少了封装数量
• 保证从高电平到低电平转换时的最大下冲为 -0.5V
• 上电和掉电期间输出无毛刺
• 简单的“直通式”引脚排列
• 大容性驱动能力（最多可驱动88个DRAM），设计用于驱动16K、64K、256K、1M和4M动态存储器阵列
• 24引脚、0.3英寸节省空间的塑料双列直插式封装和28引脚塑料有引脚芯片载体

Am2976设计用于与动态存储器控制器（例如Am29C668）配合使用，适用于具有高容性输入线的大型动态存储器需要额外缓冲的场合