N0601N-ZK-E1-AY
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- N0601N-ZK-E1-AY
- 商品编号
- C6121988
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V,50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 156W；1.5W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 133nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.73nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻：最大漏源导通电阻为4.2 mΩ。（栅源电压 = 10 V，漏极电流 = 50 A）
- 低输入电容：典型输入电容为7730 pF。（源漏电压 = 25 V，栅源电压 = 0 V）
- 高电流：直流漏极电流 = ±100 A - 符合RoHS标准
- 质量等级：标准
应用领域
-用于大电流开关