AFS250-2FG256

品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: AFS250-2FG256
商品编号: C6119267
商品封装: FPBGA-256(17x17)
包装方式: 托盘
商品毛重: 2.132克(g)

商品参数

商品特性

采用先进的130纳米、7层金属、基于闪存的CMOS工艺
非易失性，断电时保持程序
即时启动单芯片解决方案
350 MHz系统性能
用户闪存：2 Mbits至8 Mbits，可配置8位、16位或32位数据路径，预读模式下访问时间为10 ns
额外1 Kbit FlashROM
集成模数转换器，分辨率高达12位，采样率高达600 Ksps
内部2.56 V或外部参考电压
ADC：高达30个可扩展模拟输入通道
高电压输入容限：-10.5 V至+12 V
电流监控和温度监控模块
高达10个MOSFET栅极驱动器输出，支持P沟道和N沟道功率MOSFET，可编程驱动强度为1 µA、3 µA、10 µA、30 µA和20 mA
ADC精度优于1%
内部100 MHz RC振荡器（精度1%）
支持晶体振荡器（32 KHz至20 MHz）
可编程实时计数器
6个时钟调理电路，集成1个或2个锁相环，具备相移、倍频/分频和延迟能力，输入频率1.5~350 MHz，输出频率0.75~350 MHz
单路3.3 V电源供电，带片内1.5 V稳压器
睡眠和待机低功耗模式
通过JTAG进行128位AES在系统编程
FlashLock®设计用于保护FPGA内容
1.5 V、1.8 V、2.5 V和3.3 V混合电压操作
可选择的I/O组电压，每芯片最多5组
单端I/O标准：LVTTL、LVCMOS 3.3 V / 2.5 V / 1.8 V / 1.5 V、3.3 V PCI / 3.3 V PCI-X以及LVCMOS 2.5 V / 5.0 V输入
差分I/O标准：LVPECL、LVDS、B-LVDS、M-LVDS
内置I/O寄存器
700 Mbps DDR操作
支持热插拔I/O
可编程输出压摆率、驱动强度和弱上拉/下拉电阻
Fusion®系列内引脚兼容封装
可变宽高比4，608位SRAM块（支持×1、×2、×4、×9和×18配置）
真双端口SRAM（×18配置除外）
可编程嵌入式FIFO控制逻辑

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	可编程逻辑器件(CPLD/FPGA)
	内嵌式块RAM(eRAM)	36864bit