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OSG60R074KSZF

650V 47A

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描述: 采用电荷平衡技术，实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。集成快速恢复二极管 (FRD)，以最小化反向恢复时间。适用于谐振开关拓扑，以实现更高的效率、更高的可靠性和更小的外形尺寸。
品牌名称: ORIENTAL SEMI(东微)
商品型号: OSG60R074KSZF
商品编号: C6117612
商品封装: TO-263
包装方式: 编带
商品毛重: 1.745714克(g)

商品参数

商品概述

GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和更低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS Z系列集成了快速恢复二极管（FRD），以最大限度地缩短反向恢复时间。它适用于谐振开关拓扑，以实现更高的效率、更高的可靠性和更小的外形尺寸。

商品特性

低RDS(ON)和品质因数（FOM）
极低的开关损耗
出色的稳定性和一致性
超快且耐用的体二极管

应用领域

电脑电源-电信电源-服务器电源-电动汽车充电器-电机驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	47A
	导通电阻(RDS(on))	74mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	278W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	66.8nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.982nF
	反向传输电容(Crss)	9.3pF
	输出电容(Coss)	354pF