MTP75N03HDL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@5.0V,37.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.635nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款功率MOSFET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。其节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。专为电源、转换器、PWM电机控制和电感负载中的低压、高速开关应用而设计。规定了雪崩能量能力，以消除电感负载切换设计中的不确定性，并为意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 二极管适用于桥式电路
- 规定了高温下的漏源泄漏电流（IDSS）和漏源导通电阻（VDS(on)）
- 规定了雪崩能量
应用领域
- 电源
- 转换器
- PWM电机控制
- 电感负载