商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.19nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 用于低导通电阻 RDS(on) 的高密度单元设计
- 湿气敏感度等级 1 级
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无卤 “绿色” 器件
- 无铅涂层/符合 RoHS 标准（后缀 “P” 表示符合 RoHS 标准）