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MTB30P06V实物图
  • MTB30P06V商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MTB30P06V

MTB30P06V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MTB30P06V
商品编号
C6105813
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)80nC@10V
输入电容(Ciss)2.19nF
反向传输电容(Crss)310pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

-规定雪崩能量-规定高温下的IDSS和VDS(ON)-提供无铅封装

数据手册PDF

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