MSR2N2369AUA/TR
MSR2N2369AUA/TR
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MSR2N2369AUA/TR
- 商品编号
- C6105615
- 商品封装
- SMD-4P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 15V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 40@10mA,1V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 400nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@3mA,30mA | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) |
商品概述
这款 RHA 级高速 NPN 开关晶体管 2N2369A 采用 UA 封装,非常适合驱动众多高可靠性应用。该器件按照 JANSR 性能等级进行制造和筛选,对所有管芯批次采用辐射测试方法 1019 进行晶圆批次验收。完全符合 GSFC EEE - INST - 002 对项目的可靠性、筛选和抗辐射保证要求。
商品特性
- JEDEC 注册型号 2N2369A
- 按照 MIL - PRF - 19500 进行总电离剂量(TID)水平筛选
- 也可提供 0.01 Rad(s)/秒的低剂量率辐射效应(ELDRS)测试
- 提供 MKCR/MHCR 芯片管芯
- 通过 0.1 Rad (Si)/秒剂量率的低剂量率辐射效应(ELDR)逐批进行抗辐射保证(RHA)验证测试
应用领域
- 抗辐射电源
- 抗辐射电机控制
- 通用开关
- 仪表放大器
- 卫星电源系统(EPS)开关电源应用
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