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MMIX1T550N055T2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MMIX1T550N055T2

MMIX1T550N055T2

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商品型号
MMIX1T550N055T2
商品编号
C6096607
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)550A
导通电阻(RDS(on))1.3mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)830W
阈值电压(Vgs(th))1.8V
栅极电荷量(Qg)595nC@10V
反向传输电容(Crss)1.02nF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

AO7417采用先进的沟槽技术,在小型SOT363封装下可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至1.5V的栅极电压下工作。该器件适用于降压转换器。

商品特性

  • 硅芯片置于直接敷铜基板(DCB)上
  • 隔离式基板
  • 出色的热传递性能
  • 增强的温度和功率循环能力
  • 高隔离电压(约2500V)
  • 175°C工作温度
  • 极高的电流处理能力
  • 快速本征二极管
  • 雪崩额定
  • 极低的导通电阻RDS(on)

应用领域

  • 直流-直流转换器和离线式UPS
  • 初级侧开关
  • 高速功率开关应用

数据手册PDF