MLCE8.0AE3/TR
MLCE8.0AE3/TR
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MLCE8.0AE3/TR
- 商品编号
- C6092412
- 商品封装
- DO-201AA(DO-27)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 8V | |
| 钳位电压 | 13.6V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 100A@10/1000us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 1.5kW@10/1000us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 8.89V | |
| 反向电流(Ir) | 100uA | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 100pF |
商品概述
这款高可靠性塑料封装瞬态电压抑制器(TVS)二极管系列,适用于通孔安装,包含一个串联且反向的整流二极管元件。这使得它能够为所保护的系统提供非常低的小于100 pF的电容。它们的工作截止电压V_WM范围为6.5至170伏,并提供符合RoHS的版本。这些器件的低电容使其特别适用于保护携带高频信号的线路。它们还可用于根据IEC61000-4-5防止雷电的二次效应。如果需要双向瞬态能力,可以使用两个这种低电容TVS器件并联且方向相反(反并联)以实现完整的交流保护。它们还根据IEC61000-4-2和IEC61000-4-4防止ESD和EFT。
商品特性
- 高可靠性受控器件,具有晶圆制造和组装批次可追溯性,所有器件都经过100%浪涌测试。
- 单向低电容器件(小于100 pF)。
- 抑制瞬态高达1,500瓦,在10/1000微秒条件下;对待机电流I_D进行30批次常规筛选。
- 湿度等级为1级,根据IPC/JEDEC J-STD-020F,所有M前缀器件无需干燥包装;提供符合RoHS的版本。
应用领域
- 数据线保护至1 MHz。
- 防止ESD和EFT,根据IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-4。
- 二次雷电保护,根据IEC 61000-4-5。
- 800-80-008-10-002101
- 801-43-014-10-002000
- MKT1817410015D
- MLE-106-01-G-DV-K-TR
- 800-80-008-30-480101
- 801-43-014-20-001000
- 5-446405-4
- MLE-107-01-G-DV-A-TR
- 800-80-009-20-101101
- 801-43-015-61-001000
- 5-5175473-8
- MLE-108-01-G-DV-A
- 800-80-011-30-480101
- 5-520424-6
- 801-43-017-10-001000
- 800-80-012-10-001101
- MKT1817415064D
- MLE-109-01-G-DV-A
- MKT1817427064D
- 801-43-019-10-002000
- 800-80-013-20-101101

