MCH6627-TL-E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- MCH6627集成了一个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET,具有低导通电阻和高速开关特性,从而可实现高密度安装。
- 出色的导通电阻特性。
- 4V驱动。
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |