2SK3798(STA4,Q,M)
1个N沟道 耐压:900V 电流:4A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK3798(STA4,Q,M)
- 商品编号
- C6077934
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.5 Ω(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 2.8 S(典型值)
- 低泄漏电流:IDSS = 100 \mu A(VDS = 720 V)
- 增强型:V\textth = 2.0 至 4.0 V(V\textDS = 10 V,I\textD = 1 mA)