商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 350V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 40 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 2uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ |
商品概述
本规格涵盖了NPN型、硅基、低功率、高电压晶体管的性能要求。为每种封装器件类型提供了MIL - PRF - 19500中规定的四个级别的产品保证，为每种非封装器件类型的芯片提供了两个级别的产品保证。RHA级别标识“M”、“D”、“P”、“L”、“R”、“F”、“G”和“H”会附加到器件前缀以识别通过RHA要求的器件。除非另有规定，环境温度TA = +25°C。