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YFW10N50AF
1个N沟道 耐压:500V 电流:10A
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- 描述
- 特性：快速开关。 低导通电阻。 低栅极电荷。 100%单脉冲雪崩能量测试。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW10N50AF
- 商品编号
- C6069562
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.424克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 560mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 156pF |
商品概述
第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 D²PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大至HEX - 4的芯片尺寸。在现有的任何表面贴装封装中，它具有最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。 通孔版本（IRF9Z14L、SiHF9Z14L）适用于薄型应用。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 表面贴装
- 薄型通孔
- 175°C工作温度
- 快速开关
- P沟道
- 全雪崩额定