IS25WE256E-RMLE-TY

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品牌名称: ISSI(北京矽成)
商品型号: IS25WE256E-RMLE-TY
商品编号: C6062495
商品封装: SOIC-16-300mil
包装方式: 托盘
商品毛重: 1.397克(g)

商品参数

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	硬件写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位；电源锁定保护

商品概述

IS25LE256E/128E和IS25WE256E/128E串行闪存提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中实现了高灵活性和高性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入、串行数据输出、串行时钟和片选引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O功能。该器件支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI。高达166MHz的时钟频率允许实现高达664MHz的等效时钟速率，相当于83MB/s的数据吞吐量。IS25xE系列闪存增加了对双倍数据速率命令的支持，这些命令在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。这些传输速率可以超越16位并行闪存，从而实现高效的内存访问以支持就地执行操作。存储器阵列在出厂时的初始状态为已擦除。四线外设接口支持2周期指令，进一步减少了指令时间。页面可以按4KB扇区、32KB块、64KB/256KB块和/或整个芯片进行擦除。统一的扇区和块架构提供了高度的灵活性，使得该器件可用于需要可靠数据保留的各种应用。自动纠错保护应用于每64位，以最大限度地提高可靠性。当纠错功能开启时，器件在擦除操作之间只允许对每个8字节纠错边界进行一次编程操作。

商品特性

行业标准串行接口
IS25LE256E：256Mb/32MB
IS25LE128E：128Mb/16MB
IS25WE256E：256Mb/32MB
IS25WE128E：128Mb/16MB
3或4字节寻址模式
支持标准SPI、快速、双路、双路I/O、四路、四路I/O、SPI双倍数据速率、双路I/O双倍数据速率、四路I/O双倍数据速率和四线外设接口
软件和硬件复位
支持串行闪存可发现参数
高性能串行闪存
50MHz标准读取
高达166MHz快速读取
高达80MHz双倍数据速率
等效吞吐量664Mb/s
可选的虚拟周期
可配置驱动强度
支持SPI模式0和3
超过100,000次擦除/编程周期
超过20年数据保留期
每64位边界支持1位错误检测和纠正
灵活高效的内存架构
支持统一扇区/块擦除的芯片擦除
每页编程1至256或512字节
编程/擦除挂起和恢复
高效的读取和编程模式
低指令开销操作
连续读取8/16/32/64字节突发循环
可选突发长度
自动引导操作
用于双倍数据速率操作训练的数据学习模式
宽温度范围下的低功耗
单电压供电
8mA有效读取电流
10μA待机电流
1μA深度掉电电流
温度等级：扩展级：-40°C至+105°C；汽车A3级：-40°C至+125°C
高级安全保护
软件和硬件写保护
高级扇区/块保护
顶部/底部块保护
电源锁定保护
4×256字节专用安全区域，带用户可锁定一次性编程位
每个器件具有128位ID
行业标准引脚排列和封装
绿色封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	256Mbit
	时钟频率(fc)	166MHz
	工作电压	1.7V~1.95V
	待机电流	10uA
	擦写寿命	100000次