2N6668
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - |
商品概述
2N6666、2N6667和2N6668是采用TO-220封装的硅PNP达林顿功率晶体管,适用于通用放大器和低速开关应用。
商品特性
- 直流电流增益:在集电极电流IC = 4A时,hFE = 3000(典型值)
- 集电极 - 发射极维持电压:
- 2N6666:VCEO(sus) = 40V(最小值)
- 2N6667:VCEO(sus) = 60V(最小值)
- 2N6668:VCEO(sus) = 80V(最小值)
- 低集电极 - 发射极饱和电压:
- 2N6666:在集电极电流IC = 3A时,VCE(sat) = 2V(最大值)
- 2N6667、2N6668:在集电极电流IC = 5A时,VCE(sat) = 2V(最大值)
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