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SVT078R0ND(UMW)
1个N沟道 耐压:68V 电流:88A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术设计。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 符合RoHS标准。 VDS(V) = 68V。 ID = 88A(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 6.3mΩ(VGS = 10V)。 快速开关。 低导通电阻(Rdson ≤ 29mΩ)。 低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。 100% ΔVDS测试
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- SVT078R0ND(UMW)
- 商品编号
- C668216
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.472克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 242pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 323pF |
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻(RDS(ON) ≤ 29mΩ)
- 低栅极电荷
- VDS(V) = 68 V(漏源电压为68V)
- ID = 88 A \left(VGS = 10 V\right)(当栅源电压为10V时,漏极电流为88A)
- RDS(ON) = 6.3 m Ω \left(VGS = 10 V\right)(当栅源电压为10V时,漏源导通电阻为6.3mΩ)