FJ4B01120L1
1个P沟道 耐压:12V 电流:2.6A
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- 品牌名称
- PANASONIC(松下)
- 商品型号
- FJ4B01120L1
- 商品编号
- C6040468
- 商品封装
- XFLGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 187pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 漏源导通电阻:RDS(on) 典型值 = 40 mΩ(VGS = -2.5 V)
- CSP(芯片级封装)
- 无卤/符合 RoHS 标准(欧盟 RoHS/UL-94 V-0/湿敏等级:1 级)
应用领域
- 负载开关
- 电源管理功能
- 便携式电源适配器
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