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XPN9R614MC,L1XHQ
1个P沟道 耐压:40V 电流:40A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- XPN9R614MC,L1XHQ
- 商品编号
- C6036599
- 商品封装
- TSON-8(3.1x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07956克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W；840mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 小型薄封装
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 7.4 mΩ(典型值)(VGS = -10 V)
- 低漏电流:IDSS = -10μA(最大值)(VDS = -40V)
- 增强型:Vth = -1.0 至 -2.1 V(VDS = -10 V,ID = -0.5 mA)
应用领域
-汽车领域-开关稳压器-DC-DC 转换器-电机驱动器
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