商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.45V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 124nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 高电流密度
- 低电感设计
- 集成 NTC 温度传感器
- PressFIT 接触技术
- 集成安装夹,安装牢固
应用领域
- 太阳能应用
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