商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@15V,50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.45V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 124nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.68nF@800V | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF@800V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 薄型、节省空间封装
- 低导通电阻
- 快速开关时间
- 低栅极电荷
- 雪崩额定
- 符合 RoHS（豁免条款 7a）、REACH、冲突矿物法规
- 扁平、节省空间的封装形式
- 低导通电阻
- 快速开关时间
- 低栅极电荷
- 雪崩特性
- 符合 RoHS（豁免条款 7a）、REACH、冲突矿物法规
应用领域
- DC/DC 转换器
- 电源
- 直流驱动器
- 电动工具
- 同步整流器
- 直流转换器
- 电源供应器
- 直流驱动器
- 电动工具
- 同步整流器
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