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DF11MR12W1M1B11引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

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DF11MR12W1M1B11

DF11MR12W1M1B11

商品型号
DF11MR12W1M1B11
商品编号
C6022362
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))22.5mΩ@15V
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.45V
栅极电荷量(Qg)124nC@5V
输入电容(Ciss)3.68nF
反向传输电容(Crss)28pF
工作温度-40℃~+150℃

商品特性

  • 高电流密度
  • 低电感设计
  • 集成 NTC 温度传感器
  • PressFIT 接触技术
  • 集成安装夹,安装牢固

应用领域

  • 太阳能应用

数据手册PDF