VFT2060G-E3/4W

双高压沟槽 MOS 势垒肖特基整流器，在正向电流为 5 A 时，超低正向电压降为 0.50 V。

• 沟槽 MOS 肖特基技术
• 低正向电压降，低功率损耗
• 高效运行
• 符合 J-STD-020 标准的 MSL 1 级，LF 最大峰值为 245°C（适用于 D²PAK (TO-263AB) 封装），符合 RoHS 标准
• 焊锡浴温度最高 275°C，持续 10 秒，符合 JESD 22-B106 标准（适用于 TO-220AB、ITO-220AB 和 TO-262AA 封装）

用于高频逆变器、开关电源、续流二极管、或二极管、DC/DC 转换器和电池反接保护。