商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 789W |
商品概述
这款碳化硅场效应晶体管（SiC FET）器件基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开型碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）与硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Si MOSFET）共同封装，形成常关型碳化硅场效应晶体管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管（Si IGBT）、硅场效应晶体管（Si FET）、碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）或硅超结器件。该器件采用TO - 247 - 4L封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
商品特性
- 典型导通电阻RDS(on),typ为6.7mΩ
- 最高工作温度为175°C
- 出色的反向恢复性能
- 低栅极电荷
- 低固有电容
- 静电放电（ESD）保护，人体模型（HBM）2级
- TO - 247 - 4L封装，实现更快的开关速度和干净的栅极波形
应用领域
- 电动汽车充电
- 光伏逆变器
- 开关模式电源
- 功率因数校正模块
- 电机驱动
- 感应加热