TW070J120B,S1Q
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:36A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TW070J120B,S1Q
- 商品编号
- C6005858
- 商品封装
- TO-3P(N)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@20V,18A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 272W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.68nF@800V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低输入电容
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
- 背光源
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