W25Q64JWTBIQ TR

品牌名称: Winbond(华邦)
商品型号: W25Q64JWTBIQ TR
商品编号: C6000521
商品封装: TFBGA-24(6x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.166克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电压	1.7V~1.95V
	页写入时间(Tpp)	3ms
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

商品概述

W25Q64JW（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能方面远超普通串行闪存器件。它们非常适用于代码影子复制到RAM、直接从双/四路SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件工作电压范围为1.7V至1.95V，在掉电模式下电流消耗低至1μA。所有器件均采用节省空间的封装提供。W25Q64JW阵列组织为32,768个可编程页，每页256字节。每次最多可编程256字节。页可以按16页一组（4KB扇区擦除）、128页一组（32KB块擦除）、256页一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q64JW分别具有2,048个可擦除扇区和128个可擦除块。较小的4KB扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。W25Q64JW支持标准串行外设接口（SPI），以及高性能双/四路输出和双/四路I/O SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2和I/O3。支持高达133MHz的SPI时钟频率。

商品特性

串行闪存存储器
64M位（8M字节）存储容量
单路/双路/四路SPI接口
工作电压：1.7V ~ 1.95V
工作电流：4mA（典型值，133MHz读取）
待机电流：10μA（典型值）
掉电电流：1μA（典型值）
时钟频率：133MHz（最大值）
页编程时间：0.3ms（典型值）
扇区擦除时间：30ms（典型值）
块擦除时间：0.3s（典型值，64KB）
芯片擦除时间：20s（典型值）
数据保存期：20年
耐久性：100,000次编程/擦除周期
工作温度范围：-40℃ ~ +85℃
封装类型：SOIC、WSON、XSON、USON、TFBGA、WLCSP
软件和硬件写保护
安全寄存器
全局和单独块/扇区锁定
软件复位和硬件复位引脚
上电复位和掉电检测
支持串行闪存可发现参数（SFDP）
支持扩展性能读取
支持双路和四路I/O高性能读取
支持四路输入页编程
支持快速擦除指令
支持擦除/编程暂停和恢复
支持掉电模式
支持释放掉电/器件ID
支持读取制造商/器件ID
支持读取ID号
支持读取JEDEC ID
支持读取SFDP寄存器
支持擦除/编程/读取安全寄存器
支持单独块/扇区锁定/解锁
支持读取块/扇区锁定状态
支持全局块/扇区锁定/解锁
支持使能复位和复位器件
支持状态寄存器写保护
支持输出驱动强度选择
支持顶部/底部块保护
支持扇区/块保护位
支持互补保护
支持状态寄存器保护
支持安全寄存器锁定位
支持四路使能
支持写保护选择
支持保留位
支持状态寄存器存储器保护
支持单独块存储器保护
支持标准SPI指令
支持双路SPI指令
支持四路SPI指令
支持软件复位和硬件复位引脚
支持写保护特性
支持状态和配置寄存器
支持指令集
支持电气特性
支持封装规格
支持订购信息
支持历史记录

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	64Mbit
	时钟频率(fc)	133MHz