商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 可控硅输出光耦 | |
| 过零功能 | 有 | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V | |
| 隔离电压(Vrms) | - | |
| 正向电流 | 60mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 负载电压 | 800V | |
| 静态dv/dt | 5000V/us | |
| 通道数 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ |
商品概述
VO4158 由一个 GaAs 红外 LED 与光敏过零双向可控硅光电耦合，并封装在 DIP-6 封装中。通过使用发射极跟随光电晶体管和级联 SCR 预驱动器，实现了高输入灵敏度，使得 D 等级的 LED 触发电流为 1.6 mA，H 等级为 2 mA，M 等级为 3 mA。新的光控过零双向可控硅系列采用专有的 dV/dt 夹持技术，实现了大于 5 kV/μs 的静态 dV/dt。VO4158 可将低压逻辑电路与 120 VAC、240 VAC 和 380 VAC 线路隔离，以控制电阻性、电感性或电容性负载，包括电机、螺线管、大电流晶闸管或双向可控硅以及继电器。
应用领域
- 固态继电器
- 工业控制
- 办公设备
- 消费类家电