商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 580A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.75uC@10V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- HiPerFETTM 技术
- 低导通电阻 RDS(on)
- 高 dv/dt 抗扰度
- 快速本征反向二极管
- 封装
- 低电感电流路径
- 大电流主端子采用螺栓连接
- 辅助端子可使用不可互换的连接器
- 开尔文源极端子,便于驱动
- 绝缘陶瓷基板
应用领域
- 高功率密度转换器,用于
- 电动汽车的主、辅交流驱动器
- 直流驱动器
- 电源
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