VI30100SG-E3/4W

在IF = 5A时，超低压VF = 0.437V，采用D2PAK（TO - 263AB）封装，有可用模型。

• 沟槽MOS肖特基技术
• 低正向压降，低功率损耗，高效运行
• 低热阻
• 符合J - STD - 020标准的MSL 1级，TO - 263AB封装的LF最大峰值温度为245°C
• 按照JESD 22 - B106标准，TO - 220AB、ITO - 220AB和TO - 262AA封装的焊浴温度最高275°C，持续10秒

用于高频转换器、开关电源、续流二极管、或二极管、DC/DC转换器和反接电池保护。