TMS4C1024-70DJ

SMJ4C1024是一款高速1048576位DRAM，组织形式为1048576个1位字。它采用EPIC™技术，以低成本实现高性能、高可靠性和低功耗。 该器件的最大行地址选通（RAS）访问时间为80 ns、100 ns、120 ns和150 ns。150 ns器件的最大功耗在工作时低至305 mW，待机时低至16.5 mW。 EPIC™技术允许使用单一5 V电源供电，降低了系统电源和去耦要求，简化了电路板布局。IDD峰值通常为140 mA，可承受 -1 V的输入电压下冲，将系统噪声降至最低。 所有输入和输出，包括时钟，都与54系列TTL兼容。所有地址线和数据输入线都在片内锁存，简化了系统设计。数据输出不锁存，使系统具有更高的灵活性。 SMJ4C1024提供以下封装形式：18引脚陶瓷双列直插式封装（后缀JD）、20/26端子无引脚陶瓷载体封装（后缀FQ/HL）、20/26引脚J形引脚载体封装（后缀HJ）、20引脚扁平封装（后缀HK）和20引脚陶瓷曲折直插式封装（后缀SV）。其工作温度范围为 -55℃至125℃。

• 按照MIL - STD - 883 B级标准处理
• 单一5 V电源（公差10%）
• 增强型页模式操作，实现更快的内存访问，比传统页模式部件具有更高的数据带宽，可通过列地址在一行内进行随机单比特访问
• 列地址选通（CAS）先于行地址选通（RAS）（CBR）刷新
• 长刷新周期，8 ms内完成512周期刷新（最大）
• 三态非锁存输出
• 低功耗
• 采用德州仪器增强性能注入式CMOS（EPIC™）工艺制造
• 所有输入/输出和时钟都与TTL兼容
• 工作温度范围 -55℃至125℃