TPH3208LDG
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 品牌名称
- Transphorm
- 商品型号
- TPH3208LDG
- 商品编号
- C5986813
- 商品封装
- PQFN-3(8x8)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
TPH3208L系列650V、110mΩ氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)为常关型器件。它们结合了先进的高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和低压硅MOSFET技术,具备卓越的可靠性和性能。 与硅器件相比,Transphorm GaN通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷,提高了效率。
商品特性
- 符合JEDEC标准的GaN技术
- 动态导通电阻(RDS(on) eff)生产测试
- 通过本征寿命测试验证的稳健设计
- 宽栅极安全裕量
- 瞬态过压能力
- 极低的反向恢复电荷(QRR)
- 降低的交越损耗
- 符合RoHS标准且无卤封装
应用领域
-数据通信-广泛的工业领域-光伏逆变器-伺服电机
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