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V20120S-E3/4W

电压:120V 电流:20A

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商品参数

高压沟槽 MOS 势垒肖特基整流器，在正向电流 IF = 5 A 时，正向电压超低，VF = 0.50 V。提供设计支持工具，有 3D 模型。

采用沟槽 MOS 肖特基技术
正向电压降和功率损耗低，运行效率高
符合 J - STD - 020 的 MSL 1 级标准，TO - 263AB 封装的 LF 最高峰值温度为 245°C
按照 JESD 22 - B106 标准，TO - 220AB、ITO - 220AB 和 TO - 262AA 封装的最高焊锡槽温度为 275°C，持续时间 10 秒

用于高频转换器、开关电源、续流二极管、或二极管、DC/DC 转换器和反接电池保护。