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HMC618ALP3ETR

GaAs SMT pHEMT 低噪声放大器，1.2 - 2.2 GHz

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描述: GaAsSMTpHEMT低噪声放大器SMT，1.2-2.2GHz
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: HMC618ALP3ETR
商品编号: C662665
商品封装: QFN-16-EP(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.3克(g)

商品概述

HMC618ALP3E是一款砷化镓（GaAs）赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器，非常适合工作在1.2 - 2.2 GHz频段的蜂窝/3G以及LTE/WiMAX/4G基站前端接收器。该放大器经过优化，在+5V单电源供电下，可实现0.75 dB的噪声系数、19 dB的增益以及+36 dBm的输出三阶交调截点（IP3）。输入和输出回波损耗性能出色，且该低噪声放大器（LNA）仅需极少的外部匹配和偏置去耦元件。HMC618ALP3E可在+3V至+5V电源下偏置，其电源电流可外部调节，使设计人员能够针对不同应用定制LNA的线性度性能。与之前推出的HMC375LP3(E)和HMC382LP3(E)相比，HMC618ALP3E的噪声系数有所改善。

商品特性

噪声系数：0.75 dB
增益：19 dB
输出三阶交调截点（OIP3）：36 dBm
单电源：+3V至+5V
50欧姆匹配输入/输出
16引脚3x3mm表面贴装（SMT）封装：9 mm²

应用领域

蜂窝/3G以及LTE/WiMAX/4G
基站（BTS）及基础设施
中继器和毫微微蜂窝
公共安全无线电

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	属性	参数值
	商品目录	RF放大器
	频率	1.2GHz~2.2GHz
	增益	23dB

	属性	参数值
	噪声系数	0.75dB
	工作电压	3V~5V
	工作电流	89mA