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UF3C065030T3S实物图
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UF3C065030T3S

UF3C065030T3S

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品牌名称
Qorvo
商品型号
UF3C065030T3S
商品编号
C5979179
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)650V
属性参数值
连续漏极电流(Id)85A
耗散功率(Pd)441W

商品概述

联合碳化硅公司的共源共栅产品将其高性能G3碳化硅JFET与经过共源共栅优化的MOSFET封装在一起,生产出了目前市场上唯一采用标准栅极驱动的碳化硅器件。该系列不仅具有超低的栅极电荷,而且在同类额定值的器件中拥有最佳的反向恢复特性。当与推荐的RC缓冲器配合使用时,这些器件非常适合用于开关感性负载,以及任何需要标准栅极驱动的应用。

商品特性

  • 典型导通电阻RDS(on),typ为27mΩ
  • 最高工作温度为175°C
  • 出色的反向恢复性能
  • 低栅极电荷
  • 低固有电容
  • ESD保护,HBM 2级
  • 极低的开关损耗(在典型工作条件下,所需的RC缓冲器损耗可忽略不计)

应用领域

  • 电动汽车充电
  • 光伏逆变器
  • 开关模式电源
  • 功率因数校正模块
  • 电机驱动
  • 感应加热

数据手册PDF