CL03A104KQ3NNWC
100nF ±10% 6.3V
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- 品牌名称
- SAMSUNG(三星)
- 商品型号
- CL03A104KQ3NNWC
- 商品编号
- C5969169
- 商品封装
- 0201
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 贴片电容(MLCC) | |
| 容值 | 100nF | |
| 精度 | ±10% |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 额定电压 | 6.3V | |
| 温度系数 | X5R |
商品概述
多层陶瓷电容器,电容值100μF,电压6.3V,容差±10%,温度特性X5R,封装0201
商品特性
- 回流焊推荐条件:回流峰值温度260±5℃,持续30秒
- 电容测量建议:按文档指定电压和频率测量,推荐使用带ALC(自动电平控制)选项的测量设备,测量前确保输出电压与设定电压相同
- 高介电常数(II类)MLCC电容值随交流和直流电压变化,应用时需考虑其交流电压特性和直流偏置电压特性
- 电容符合EIA RS - 198 - 1 - F - 2002标准
- 理想MLCC能量损耗为零,实际MLCC有介电损耗和电极电阻损耗,DF(损耗因数)定义为损耗能量与存储能量之比,通常以百分比计算
- 品质因数(Q因数)定义为存储能量与损耗能量之比,公式为1/DF,I类MLCC损耗特性通常用Q表示,II类MLCC用DF表示
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- CL05C471JB5NNND
- CL05C4R3CB5NNWC
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- CLP-136-02-L-S
- CLP-137-02-F-D-A
- CLP-138-02-L-D-A
- CLP-139-02-F-D-K-TR
- CLP-139-02-L-D-A
- CLP-140-02-F-D-BE
- CLP-140-02-F-DH-A
- CLP-140-02-FM-D-P
- CLP-140-02-G-D-P-TR
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