温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSC026N08NS5ATMA1
1个N沟道 耐压:80V 电流:184A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：优化用于服务器和台式机中的同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅；符合ReHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC026N08NS5ATMA1
- 商品编号
- C5955453
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 184A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于基站应用的100 W LDMOS功率晶体管，工作频率范围为2500 MHz至2700 MHz。
商品特性
- 针对服务器和台式机的同步整流进行优化
- 经过 100% 雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N 沟道
- 针对目标应用符合 JEDEC 标准
- 引脚无铅电镀;符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准无卤
应用领域
- 用于2500 MHz至2700 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器。
其他推荐
- BTH-120-02-H-D-A-K-TR
- BTH-120-02-L-D-A
- BTH-120-02-L-D-LC
- BTH-120-03-C-D-A-K
- BTH-120-04-F-D-A
- BTH-150-01-L-D-A
- BTH-150-06-F-D-A
- BTH3-11-05-1-B-SE
- BTI24-12S130D
- BTJ24-12S250D
- BTM-26901-B01
- BSCH000603031N8S00
- BSCH000603032N2S00
- BSCH000603033N3S00
- BSCH001005053N3SCP
- BSCH001005053N3SSM
- BSCH001005053N6SCP
- BSCH001005054N3SCS
- BSCH0010050556NKCP
- BSCH001005055N6KCS
- BSCH001005055N6SCP