商品概述

ALD2321A/ALD2321B/ALD2321 是一款单片精密双电压比较器，每个比较器均集成了双互补输出驱动器。它采用先进的硅栅 CMOS 技术制造。主要特性包括极高的输入阻抗、极低的失调电压（采用片上 e-trim (EPAD 电子修整) 技术）、灵活的多输出配置以及快速响应时间，且过驱动电压小。它专为从高阻抗源检测超低电平信号而设计。在许多应用中，ALD2321A/ALD2321B/ALD2321 可以消除输入放大器级、精密输入偏置级、信号电平转换级和输出缓冲器级，从而在一个芯片上完成从低电平信号检测到高输出驱动器的整个过程。

输入电压包括地，这使得该电压比较器非常适合于单电源 (+5V) 或双电源 (±5V) 供电系统。对于双电源应用，GND 引脚连接到最负的电源，而不是地 (0.0V)。负电源电压可以在 0.0V 和 -5V 之间取任何值。每个电压比较器在工厂都经过单独修整，以在接地电压电位下实现最小失调电压，从而使 ALD2321A/ALD2321B/ALD2321 处于最佳失调电压状态，并可比较接近或在接地电位处的非常低的信号电平电压。通常，小于 1mV 的信号可以被可靠地解析和检测，而无需放大。功率低至 0.004pW (4 x 10^-15 瓦) 的传感器或检测器信号可以被轻松检测。

每个电压比较器具有两个互补输出引脚，一个用于源输出 (OUTH)，另一个用于漏输出 (OUT)。这种双互补输出允许最大的电路设计灵活性。输出可以用作单端驱动器、多线 OR 输出、推挽输出或互补输出。漏输出可以用作开漏输出，其电流灌出能力高达 50mA。它也可以连接到高于或低于 V+ 的外部电压，从而提供从 V+ 到 GND 的输出摆动电平的电平转换。源输出可以提供高达 2mA 的电流，并且可以用于驱动外部 NPN 双极器件的基极或 N 沟道 MOSFET 器件的栅极。

商品特性

可检测到4fW的超低信号功率
最大0.2mV的超低失调电压
典型值为0.01pA的超低输入偏置电流
典型值为110uA的低供电电流
实质上消除了源阻抗效应
4V至10V的低工作供电电压
单电源（+5V）和双电源（±5V）操作
对于小电平和大电平信号都具有高速度，TTL输入时典型值为300ns
与CMOS、NMOS和TTL兼容
每个比较器都有独立的推拉输出
高输出灌电流 - 典型值为50mA
低供电电流尖峰
可驱动30个TTL负载

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	属性	参数值
	商品目录	比较器
	输入失调电压(Vos)	-
	输入偏置电流(Ib)	20pA
	滞后电压(Vhys)	-

	属性	参数值
	共模抑制比(CMRR)	80dB
	输出类型	开漏；推挽
	输出模式	NMOS；TTL；CMOS
	工作温度	0℃~+70℃

ALD2321PCL

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