SUP70040E-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUP70040E-GE3
- 商品编号
- C5932057
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是一款采用 SuperMESHTM 技术开发的 N 沟道齐纳保护功率 MOSFET，通过对成熟的基于条形的 PowerMESHTM 布局进行优化实现。除了显著降低导通电阻外，该器件还旨在为最严苛的应用确保高水平的 dv/dt 能力。
商品特性
- ThunderFET功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 电源
- 次级同步整流
- DC/DC转换器
- 电动工具
- 电机驱动开关
- DC/AC逆变器
- 电池管理
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